講演名 2008-11-14
電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
中尾 元春, 間中 孝彰, / 林 銀珠, 岩本 光正,
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抄録(和) 電流密度jはj=enμEと表わされるので、有機電界効果トランジスタの解析では、電荷密度en(キャリアの起源)・移動度μ(キャリアの移動)・電界E(有機材料内の電界分布)に関する知見が必要である。注入キャリアで動作する有機FETではONおよびOFF時の電界分布を決定することが重要になる。これまで我々は誘電分極現象に敏感な光第二次高調波発生(SHG)に着目し、有機FETの電界分布評価に対する手法を提案してきた。今回はSH光の偏光方向から電界成分を解析することにより、ペンタセンFETの面内電界分布を検討した。その結果、ドメインサイズが1μm程度に達する試料を用いた場合にも、SHG法によりチャネル方向の静電界を計測できることが示された。
抄録(英) Electric field E, mobility μ and carrier density en are key parameters used to discuss the operation mechanism of Organic Field transistors (OFETs). OFETs are mainly ruled by carriers injected from the source electrode. Hence space charge field is formed in OFETs. It is a significant issue to evaluate electric field distribution along the FET channel. In our previous studies, we proposed a novel technique for evaluating the electric field distribution in OFETs using the second harmonic generation (SHG) activated by the d.c. electric field induced polarization of organic semiconductor. In this work, in-plane anisotropy of electric field in pentacene FET was investigated with polarized SH light. Consequently, d.c. electric field along the channel is shown to be determined for pentacene films with crystalline domain size of about 1μm.
キーワード(和) 有機電界効果トランジスタ / ペンタセン / 光第二次高調波発生(SHG)
キーワード(英) organic field effect transistor / pentacene / second harmonic generation (SHG)
資料番号 OME2008-71,OPE2008-131
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2008/11/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) In-plane anisotropy of electric field in organic field effect transistor observed by optical second harmonic generation measurement
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機電界効果トランジスタ / organic field effect transistor
キーワード(2)(和/英) ペンタセン / pentacene
キーワード(3)(和/英) 光第二次高調波発生(SHG) / second harmonic generation (SHG)
第 1 著者 氏名(和/英) 中尾 元春 / MOTOHARU Nakao
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 間中 孝彰 / Takaaki MANAKA
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学大学院理工学研究科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) / 林 銀珠 / Martin WEIS
第 3 著者 所属(和/英) 東工大
/
第 4 著者 氏名(和/英) 岩本 光正 / Eunju LIM
第 4 著者 所属(和/英) 東工大
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2008-11-14
資料番号 OME2008-71,OPE2008-131
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 293
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日