講演名 2008-11-07
立体加工したS-D電極上に作製したボトムコンタクトペンタセン有機トランジスタの電気特性(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
藤森 達也, 浦 裕亮, 伊東 栄次, 宮入 圭一,
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抄録(和) 本研究では酸化アルミニウムとポリイミドの積層膜からなるゲート絶縁層上にAuソース・ドレイン(S-D)電極をパターン化し、Auをマスクとしてポリイミド層を酸素プラズマ加工することで立体構造のS-D電極を作製した。試料を表面処理した後でペンタセンを蒸着することで新規なボトムコンタクト型の有機トランジスタを作製することで、トップコンタクト型と同等の高い性能と、ボトムコンタクト型素子並の電極パターンの加工精度、及び漏れ電流の低減が可能となった。本研究で提案するデバイスと、トップコンタクト型とボトムコンタクト型デバイスについて電気特性や表面形状や結晶性等を比較しながら検討した。
抄録(英) We have fabricated an unique bottom contact type pentacene field effect transistor (FET) on 3-D structured source-drain electrodes having a 200nm (or 400nm)-thick polyimide layer underneath S-D electrodes, and on aluminum oxide insulator. The unwanted bare polyimide layer was removed by a self-alignment dry etch in O_2 plasma using source-drain electrodes as a mask. The field effect mobility of this new type bottom contact FET was much higher than that of traditional bottom contact pentacene FET probably due to the improved morphology of pentacene film at the region close to Au/pentacene interface.
キーワード(和) 有機トランジスタ / ペンタセン / 酸化アルミニウム / ボトムコンタクト
キーワード(英) OFET / Pentacene / Al_2O_3 / Bottom contact
資料番号 OME2008-61
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2008/10/31(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 立体加工したS-D電極上に作製したボトムコンタクトペンタセン有機トランジスタの電気特性(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electrical properties of bottom contact pentacene FET on 3D processed S-D electrodes
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / OFET
キーワード(2)(和/英) ペンタセン / Pentacene
キーワード(3)(和/英) 酸化アルミニウム / Al_2O_3
キーワード(4)(和/英) ボトムコンタクト / Bottom contact
第 1 著者 氏名(和/英) 藤森 達也 / Tatsuya FUJIMORI
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 浦 裕亮 / Yusuke URA
第 2 著者 所属(和/英) 信州大
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第 3 著者 氏名(和/英) 伊東 栄次 / Eiji ITOH
第 3 著者 所属(和/英) 信州大
第 4 著者 氏名(和/英) 宮入 圭一 / Keiichi MIYAIRI
第 4 著者 所属(和/英) 信州大
発表年月日 2008-11-07
資料番号 OME2008-61
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 280
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日