講演名 | 2008-11-19 マルチ閾値電圧トランジスタを用いた2線2相式非同期式回路のリーク電力削減手法(遅延・電源ノイズ解析,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地) 高田 幸永, 今井 雅, 中村 宏, 南谷 崇, |
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抄録(和) | 今後増大すると予測されている遅延変動の対処法の1つとして,2線2相式非同期設計がある.しかし2線式回路は回路量が大きく,1線式回路に比べリーク電力が大きくなるという問題がある.そこで本報告では,2線2相式回路は非動作時に回路の状態が一意に定まる性質に着目し,マルチ閾値電圧トランジスタを用いてリーク電力を削減する手法を提案する. |
抄録(英) | Dual-rail four-phase asynchronous circuits are well-known for their benefits in terms of delay variation tolerance. On the other hand, dual-rail circuits need to reduce their leakage power, since dual-rail asynchronous logic is often known to be larger than its equivalent single-rail counter-part, and thus its leakage power is also larger. In this paper, we propose leakage power reduction method for dual-rail four-phase asynchronous circuits using multi-Vth transistors. |
キーワード(和) | 遅延変動 / リーク電力 / 2線2相非同期式回路 / マルチ閾値トランジスタ |
キーワード(英) | Delay Variation / Leakage Power / Dual-rail Four-Phase Asynchronous Circuit / Multi-Vth Transistor |
資料番号 | VLD2008-90,DC2008-58 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2008/11/10(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | マルチ閾値電圧トランジスタを用いた2線2相式非同期式回路のリーク電力削減手法(遅延・電源ノイズ解析,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Leakage Power Reduction Method for Dual-Rail Four-Phase Asynchronous Circuits Using Multi-Vth Transistors |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 遅延変動 / Delay Variation |
キーワード(2)(和/英) | リーク電力 / Leakage Power |
キーワード(3)(和/英) | 2線2相非同期式回路 / Dual-rail Four-Phase Asynchronous Circuit |
キーワード(4)(和/英) | マルチ閾値トランジスタ / Multi-Vth Transistor |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高田 幸永 / Koei TAKADA |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学先端科学技術研究センター Reserch Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 今井 雅 / Masashi IMAI |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学先端科学技術研究センター Reserch Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中村 宏 / Hiroshi NAKAMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学先端科学技術研究センター Reserch Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo |
第 4 著者 氏名(和/英) | 南谷 崇 / Takashi NANYA |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京大学先端科学技術研究センター Reserch Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo |
発表年月日 | 2008-11-19 |
資料番号 | VLD2008-90,DC2008-58 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 298 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |