講演名 2008-11-19
容量充電モデルによるプロセッサ電源雑音解析の高速化手法(電源ノイズ,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
岩佐 福一, 澤田 卓也, 深澤 光弥, 永田 真,
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抄録(和) 大規模デジタルプロセッサに対応した,高速な電源雑音解析手法について報告する.容量充電モデルの規模を容量の統計データを用いて削減し、解析コストの改善を行った.90nmCMOSプロセス技術によるテストチップに提案手法を適用し,解析精度を維持したままで最大62.8%の解析時間短縮効果が得られた.
抄録(英) A fast simulation technique is proposed for the power supply noise analysis of the large-scale digital processor. The analysis cost is improved by reducing the scale of capacitance charging model with capacitance statistics data. The proposed technique is applied to a test chip fabricated with a 90nm CMOS process technology and shortens analysis time 62.8% at the maximum at the maintained precision.
キーワード(和) 電源雑音 / 容量充電モデル / SRAMモデル / 雑音解析
キーワード(英) Power supply noise / Capacitance charging model / SRAM model / Noise analysis
資料番号 CPM2008-94,ICD2008-93
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2008/11/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 容量充電モデルによるプロセッサ電源雑音解析の高速化手法(電源ノイズ,デザインガイア2008-VLSI設計の新しい大地)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Fast Simulation Technique of Processor Power Supply Noise using Capacitance Charging Model
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電源雑音 / Power supply noise
キーワード(2)(和/英) 容量充電モデル / Capacitance charging model
キーワード(3)(和/英) SRAMモデル / SRAM model
キーワード(4)(和/英) 雑音解析 / Noise analysis
第 1 著者 氏名(和/英) 岩佐 福一 / Fukuichi IWASA
第 1 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Graduate School of Technology, Kobe University
第 2 著者 氏名(和/英) 澤田 卓也 / Takuya SAWADA
第 2 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Graduate School of Technology, Kobe University
第 3 著者 氏名(和/英) 深澤 光弥 / Mitsuya FUKAZAWA
第 3 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Graduate School of Technology, Kobe University
第 4 著者 氏名(和/英) 永田 真 / Makoto NAGATA
第 4 著者 所属(和/英) 神戸大学大学院工学研究科
Graduate School of Technology, Kobe University
発表年月日 2008-11-19
資料番号 CPM2008-94,ICD2008-93
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 302
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日