| 講演名 | 2008-11-14 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 鎌倉 良成, ミリニコフ ゲナディ, 森 伸也, 江崎 達也, |
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| 抄録(和) | 非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー)が多重ゲート型n-MOSFETの電気的特性に与える影響を調べた.チャネル中のドナーイオンはしきい値電圧の変動を引き起こし,その影響はドナーがチャネルポテンシャルの頂上部に存在する場合最も顕著となる.一方,オン電流には遮蔽効果の影響のため大きな変化が現れない.複数のデバイス構造を試した結果,ゲートオールアラウンド構造の方がダブルゲート構造よりもイオンによる特性変動に強いことが分かった. |
| 抄録(英) | A comprehensive and rigorous study of the impact of single attractive ion in undoped channel MGFETs is presented by using a new 3D NEGF technique. A single donor induces VT shift, and its impact is most significant when the donor is located at the top of the potential barrier, while on current is not affected so much due to the screening effect. To reduce the intrinsic device parameter fluctuation, control of lateral S/D doing abruptness is important, and gate-all-around structure has better robustness than the double gate structure. |
| キーワード(和) | 非平衡Green関数法 / MOSFET / デバイスシミュレーション / 特性バラツキ |
| キーワード(英) | nonequilibrium Green's function method / MOSFET / device simulation / fluctuation |
| 資料番号 | SDM2008-179 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/11/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Quantum Mechanical Study of Effect of Single Attractive Ions on Electron Transport in Nanoscale Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非平衡Green関数法 / nonequilibrium Green's function method |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 特性バラツキ / fluctuation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ミリニコフ ゲナディ / Gennady MIL'NIKOV |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya MORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江崎 達也 / Tatsuya EZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2008-11-14 |
| 資料番号 | SDM2008-179 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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