| 講演名 | 2008-11-14 ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 新居 浩二, 薮内 誠, 塚本 康正, 大林 茂樹, 篠原 尋史, |
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| 抄録(和) | 微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。これを改善するためにワード線降下によるリードアシスト回路および、VDD電位降下やネガティブビット線方式によるライトアシスト回路を提案し、実デバイス評価でその効果を確認した。 |
| 抄録(英) | We develop high-density SRAM module in deep-submicron CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. The improved wordline suppression technique using replica cell transistors and passive resistances compensates the read stability against process variation. The negative bitline technique expands the write margin even at the 0.7V lower supply voltage. Using 45-nm CMOS technology, we fabricated both SP and DP SRAMs with the proposed circuitry. We achieve robust operations from 0.7V to 1.3V wide supply voltage. |
| キーワード(和) | SRAM / ばらつき / アシスト回路 / SNM / SoC / ロバスト設計 |
| キーワード(英) | SRAM / Variability / Assist Circuits / Static Noise Margin (SNM) / SoC / Robust Design |
| 資料番号 | SDM2008-178 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/11/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Robust Design of Embedded SRAM on Deep-submicron Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | アシスト回路 / Assist Circuits |
| キーワード(4)（和/英） | SNM / Static Noise Margin (SNM) |
| キーワード(5)（和/英） | SoC / SoC |
| キーワード(6)（和/英） | ロバスト設計 / Robust Design |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji NII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 薮内 誠 / Makoto YABUUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚本 康正 / Yasumasa TSUKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大林 茂樹 / Shigeki OHBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 篠原 尋史 / Hirofumi SHINOHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2008-11-14 |
| 資料番号 | SDM2008-178 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |