講演名 2008-11-20
SIW共振器装荷Q帯薄型導波管BRF(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
米田 諭, 内田 浩光, 田中 深雪, 佐々木 拓郎, 米田 尚史,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 導波管で構成する帯域阻止フィルタ(BRF)として,結合孔を介して中空導波管と導波管キャビティを結合する構成が知られている.しかし,導波管キャビティが主導波管外部の突出物となるため薄型化が困難であり,また,結合孔の作成に機械加工が必要なため,ミリ波帯への適用時に加工精度が問題となる場合がある.本稿では,これらの課題に対して新たに考案したSIW (Substrate Integrated Waveguide;ポスト壁導波路)共振器装荷導波管BRFについて報告する.本BRFは,SIW共振器を備えた誘電体基板を中空導波管の上下幅広面の内壁へ貼付して構成しており,主導波管の外部に構成要素がないため従来例よりも薄型化が可能で,且つ,結合孔が不要なため,従来例よりも簡易な構造を有していると考えられる.アルミナ基板を用い,47GHz帯(Q帯)で本フィルタの試作評価を行った結果,比帯域約2%(約1GHz)で50dB以上の減衰量を有する,ほぼ計算通りの良好な帯域阻止特性が得られた.
抄録(英) A new low profile waveguide band-rejection filter (BRF) is proposed. In the waveguide BRF, Substrate Integrated Waveguide (SIW) cavities are employed as resonators, and they are simply inserted in a hollow waveguide. For this simple configuration, this waveguide BRF is low-profile and easy to fabricate compared with a conventional waveguide BRF, which employs resonant waveguide cavities outside the waveguide and needs costly machining processes to fabricate. A Q-band prototype waveguide BRF is fabricated using alumina substrates and the measured results showed high attenuation more than 50dB at 47GHz in 2% fractional bandwidth.
キーワード(和) ミリ波 / Q帯 / 帯域阻止フィルタ / 導波管フィルタ / SIW / ポスト壁導波路
キーワード(英) Millimeter-wave / Q-band / Band rejection filters / waveguide filters / SIW / substrate integrated waveguide
資料番号 MW2008-118
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2008/11/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SIW共振器装荷Q帯薄型導波管BRF(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Q-band Low-profile Waveguide BRF with Built-in Cavity-Embedded Dielectric Substrates
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave
キーワード(2)(和/英) Q帯 / Q-band
キーワード(3)(和/英) 帯域阻止フィルタ / Band rejection filters
キーワード(4)(和/英) 導波管フィルタ / waveguide filters
キーワード(5)(和/英) SIW / SIW
キーワード(6)(和/英) ポスト壁導波路 / substrate integrated waveguide
第 1 著者 氏名(和/英) 米田 諭 / Satoshi YONEDA
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 内田 浩光 / Hiromitsu UCHIDA
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 深雪 / Miyuki TANAKA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 佐々木 拓郎 / Takurou SASAKI
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 米田 尚史 / Naofumi YONEDA
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation
発表年月日 2008-11-20
資料番号 MW2008-118
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 311
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日