| 講演名 | 2008-11-27 ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 乗松 潤, 平山 秀樹, 藤川 紗千恵, 野口 憲路, 高野 隆好, 椿 健治, 鎌田 憲彦, |
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| 抄録(和) | 波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている。AlGaN紫外LEDの高効率化のためには、低貫通転位密度AlNテンプレートの使用が重要である。本研究ではEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)-AlNを用いることにより低貫通転位密度AlNテンプレートを実現し、その上にAlGaN系紫外LEDを作製しCW動作においてミリワット動作を得た。サファイア基板上に、まず、減圧MOCVD法によりアンモニアパルス供給多段成長法を用いて下地AlN層を成長した。そのAlN層に5/3μmのストライプ構造を形成した後、ELO-AlNを作製した。その上にAlGaN3層量子井戸を発光層とするLEDを作製した。ELO-AlN上AlGaN-LEDからは波長273nmの強い発光ピークが得られ、室温CW動作において最大出力は2.7mW、最大外部量子効率(EQE)は0.04%であった。 |
| 抄録(英) | 250-280nm-band high-efficiency deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are attractive much attention for the application to sterilization or medical use. The realization of low threading dislocation density (TDD) AlN template on sapphire substrate is considerably important in order to realize high-efficiency and high-power AlGaN-based DUV LEDs. In this work, we fabricated AlGaN quantum well (QW) LEDs on Low TDD AlN template fabricated by epitaxial lateral overgrowth (ELO) method, and realized CW milliwatt power operation of AlGaN DUV-LED. First we grew initial AlN on c-plane sapphire substrate by using ammonia (NH3) pulse-flow multilayer (ML) growth method. After we formed 5/3μm AlN stripes on the initial AlN, we grew thick ELO-AlN layer. We fabricated the AlGaN-3QWs LED on the ELO-AlN. Intense 273nm emission peak was obtained from the AlGaN LED, and the maximum output power was 2.7mW, the maximum external quantum efficiency (EQE) was 0.04%. |
| キーワード(和) | ELO-AlN / 紫外LED / 貫通転位密度 / アンモニアパルス多段成長法 / MOCVD |
| キーワード(英) | ELO-AlN / ammonia pulse-flow multilayer growth method / UV-LED / MOCVD |
| 資料番号 | ED2008-168,CPM2008-117,LQE2008-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 270nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN templates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ELO-AlN / ELO-AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / ammonia pulse-flow multilayer growth method |
| キーワード(3)（和/英） | 貫通転位密度 / UV-LED |
| キーワード(4)（和/英） | アンモニアパルス多段成長法 / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 乗松 潤 / Jun Norimatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野口 憲路 / Norimichi Noguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高野 隆好 / Takayoshi Takano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社 RIKEN:Panasonic Electric Works Co., Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 椿 健治 / Kenji Tsubaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:パナソニック電工株式会社 RIKEN:Panasonic Electric Works Co., Ltd |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-168,CPM2008-117,LQE2008-112 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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