| 講演名 | 2008-11-27 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 野口 憲路, 平山 秀樹, 乗松 潤, 鎌田 憲彦, |
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| 抄録(和) | 波長210nm～350nm帯の紫外LED・LDは様々な研究グループで開発が進められている。しかし発光効率は低く、特に250nm以下の波長帯では報告例も少ない。我々はサファイア基板上で(In)AlGaN多重量子井戸を用いて、波長220～350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回は1.6nm程度の幅の狭いAlGaN量子井戸を用いることにより、2.6nmの量子井戸の時に比べ約4倍発光強度が増大することを明らかにした。またAlN電子ブロック層を用いることにより電子のオーバーフローを抑制し,p層からの発光を抑えて量子井戸からの発光が増大することを明らかにした。これらの工夫により波長234nmにおいて出力0.4mW、外部量子効率0.034%、波長241nmにおいて出力1.13mW、外部量子効率0.084%を室温CW動作において実現した。 |
| 抄録(英) | 210-350nm-band high-efficiency ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) are very attractive light sources for the application to sterilization, medical fields etc. In this study, we realized high-power operations of AlGaN multi-quantum well (MQW) LEDs on high quality AlN/sapphire templates. We obtained significant increase of the 220nm-band emission from AlGaN MQW LEDs by reducing the quantum well thickness from 4nm to 1.5nm. We also introduced AlN electron blocking layer (EBL) in order to improve the electron injection efficiency by suppressing electron overflow. We revealed that the output power of the 250nm-band AlGaN LEDs was markedly increased by introducing AlN EBL. We obtained output power of 0.4mW and the external quantum efficiency (EQE) of 0.034% from 234nm AlGaN-MQW LED under room temperature (RT) continuous wave (CW) operation. |
| キーワード(和) | AlGaN / 紫外LED / MOCVD / 電子ブロック層 |
| キーワード(英) | AlGaN / UV-LEDs / MOCVD / electron blocking layer |
| 資料番号 | ED2008-167,CPM2008-116,LQE2008-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Toward high-power operation of 230nm-band AlGaN UV-LED |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / UV-LEDs |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 電子ブロック層 / electron blocking layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 憲路 / Norimichi NOGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 乗松 潤 / Jun NORIMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST RIKEN:Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鎌田 憲彦 / Norihiko KAMATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Saitama University:Japan Science and Technology Agency, CREST |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-167,CPM2008-116,LQE2008-111 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |