| 講演名 | 2008-11-27 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 片桐 佑介, 奥浦 一輝, 呉 潔君, 三宅 秀人, 平松 和政, 江崎 哲也, 桑野 範之, |
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| 抄録(和) | HVPE法によるSapphire基板上へのAlN成長では、AlNとSapphireとの熱膨張係数差によるクラックが問題になっている.本研究では,周期溝構造をもった基板を下地として,減圧HVPE法によりAlN成長を行った.周期構加工基板を用いることにより、クラックフリーAlN膜の成長に成功した.周期溝構造をもったAlN/Sapphire基板上への成長ではX線回折のFWHMは,(0002)で132 arcsecで,(10-10)で594 arcsecであった.また、周期溝加工をもたない下地基板上に成長したAlN膜と比較すると,XRCのFWHMが約1/3減少したことがわかった. |
| 抄録(英) | In the case of HVPE growth AlN on Sapphire substrate, the formation of cracks due to the large difference in thermal expansion coefficient between AlN and sapphire is considered a critical issue. In this study, AlN layer was grown on period-trench-pattered substrate by low pressure HVPE. AlN layer on period-trench-patterned substrate had crack-free. The typical full-widths at half-maximum (FWHMs) of X-ray rocking curves (XRC) for the (0002) and (10-10) diffractions of the AlN layer on period-trench-patterned AlN/Sapphire substrate were 132 and 594 arcsec, respectively. Compared with the AlN layer grown AlN/Sapphire substrate without period-trench-patterned, it was confirmed that the FWHMs of XRC of the AlN layer on period-trench-patterned AlN/Sapphire substrate decreased about a third. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlN / LP-HVPE |
| 資料番号 | ED2008-166,CPM2008-115,LQE2008-110 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-pressure HVPE growth and characterization of AlN on period-trench-patterned substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片桐 佑介 / Yusuke Katagiri |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥浦 一輝 / Kazuteru Okuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 呉 潔君 / Jiejun Wu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江崎 哲也 / Tetsuya Ezaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学総合理工学府 Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyusyu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 桑野 範之 / Noriyuki Kuwano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 九州大学産学連携センター Art, Science and Technology Center for Cooperative Reserch, Kyusyu University |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-166,CPM2008-115,LQE2008-110 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |