| 講演名 | 2008-11-27 AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 小川原 悠哉, 生川 満久, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | 面内均一性に優れたデバイスを作製するためには,成長時における基板の反りの低減が必要である。本研究では,MOVPE法により異なる基板上にAlGaN成長を行い,成長時における基板の反りのその場観察を行った。AlGaN成長中の基板の曲率は,GaNテンプレート基板とサファイア基板では増加し,基板の反りが大きくなったのに対して、AlNテンプレート基板では曲率が減少し,基板の反りが小さくなった。AlGaNよりも格子定数が大きいAlNテンプレート基板を用いることで、発光層の成長時に基板の反りがないデバイス形成が実現できる可能性がある。 |
| 抄録(英) | To achieve a devise superior in uniformity in plane, reduction technique of wafer bowing during growth is necessary. In this work, AlGaN was grown by MOVPE on different substrate, and in situ measurement of substrate curvature during growth. During AlGaN growth on GaN template and sapphire the substrate curvature increased, as a result wafer curve was large. While during growth on AlN template curvature decreased, and wafer curve was small. From this result, there is a possibility to be able to devices that is no wafer curve during growth of active layer by using AlN template which is larger lattice constant than AlGaN |
| キーワード(和) | 反り / その場観察 / AlGaN / AlN / MOVPE |
| キーワード(英) | curve / in situ / AlGaN / AlN / MOVPE |
| 資料番号 | ED2008-165,CPM2008-114,LQE2008-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of substrate curvature during MOVOE growth of AlGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反り / curve |
| キーワード(2)（和/英） | その場観察 / in situ |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川原 悠哉 / Yuya Ogawahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 生川 満久 / Mitsuhisa Narukawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-165,CPM2008-114,LQE2008-109 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |