| 講演名 | 2008-11-27 マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 船戸 充, 林 啓太, 上田 雅也, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した.各ファセット面における量子井戸膜厚やIn組成が異なるため,LEDは多波長発光を示した.駆動電流値を変えると,それに伴って各ファセットからの発光成分の相対強度が変化し,見た目の発光色が変化した.これを利用して,注入キャリア数を一定に保つように設定したパルス電流駆動により,出射光子数に大きな影響を与えることなく,LEDの発光色を広い波長域-例えば,緑から青色や,あるいは,色温度4000Kの白色から黒体輻射軌跡に沿って青色-に渡って外部調光することができた.ここで提案するLEDは,従来から結晶品質改善に利用される再成長技術によって作製されていることから,作製プロセスを複雑化せずに新しい機能を付加することができることが特長である. |
| 抄録(英) | We demonstrate that the apparent emission colors of InGaN-based LEDs using micro-structured multifacet quantum wells as active layers can externally be controlled over a wide spectral range that encompasses green to blue or white at a color temperature of 4000K to blue along the Planckian locus. The controllability relies on facet-dependent polychromatic emissions. The pulsed current operation with the appropriate duties varied their relative intensities and the consequent apparent colors without seriously affecting the total number of emitted photons, particularly for the blue to green variation. The proposed LEDs can be fabricated through a simple process and, therefore, may be a key device for advanced SSL. |
| キーワード(和) | InGaN/GaN量子井戸 / マルチファセット構造 / 発光ダイオード / 波長可変発光ダイオード |
| キーワード(英) | InGaN/GaN quantum wells / multi-facetted structures / LEDs / color-tunable LEDs |
| 資料番号 | ED2008-164,CPM2008-113,LQE2008-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission color tunable light-emitting diodes based on multi-facetted InGaN/GaN quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN/GaN量子井戸 / InGaN/GaN quantum wells |
| キーワード(2)（和/英） | マルチファセット構造 / multi-facetted structures |
| キーワード(3)（和/英） | 発光ダイオード / LEDs |
| キーワード(4)（和/英） | 波長可変発光ダイオード / color-tunable LEDs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 啓太 / Keita HAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上田 雅也 / Masaya UEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 成川 幸男 / Yukio NARUKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nichia Corporation, Nitride Semiconductor Research Lab. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 向井 孝志 / Takashi MUKAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nichia Corporation, Nitride Semiconductor Research Lab. |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-164,CPM2008-113,LQE2008-108 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |