| 講演名 | 2008-11-27 P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 吉川 明彦, 王 新強, 崔 成伯, 石谷 善博, |
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| 抄録(和) | InNは伝導帯下端の位置が低いことからnative defectsの電子レベルが伝導帯内部に形成され、高濃度の表面・界面電子蓄積層が現われるため、通常のホール効果による測定では、p型伝導特性を評価することが難しい。本論文では、MBE法により高純度化および高品質化を図ったInNにアクセプタ不純物としてMgを広い濃度範囲で添加し、電界液を用いた容量-電圧(ECV)特性評価を中心にp型伝導の制御性を検討した。その結果、アクセプタ濃度が3x10^<19>cm^<-3>程度まではp型伝導を実現できること、また、それ以上のMg濃度では過剰ドープ効果によりドナ性の欠陥が誘起され、再びn型伝導結晶になることがわかった。本論文では、InNのP型伝導制御と関連事項について、ECV評価法の問題点などを含み、その現状と問題点をまとめた。 |
| 抄録(英) | Successful p-type doping of InN up to the net acceptor concentration of ～3x10^<19>cm^<-3> has been confirmed by analyzing electrolyte capacitance-voltage characteristics (ECV) for Mg-doped InN samples grown by MBE. It was found that overdoped [Mg] introduce shallow donors in InN resulting in the conduction type change into n-type again. Electrical, optical and crystalline-structural properties of Mg-doped InN samples, in which [Mg] concentration was very widely varied in the range from 10^<16> to 4x10^<21>cm^<-3>, were also investigated. Present status and future prospects as well as some related problems for achieving p-type InN are discussed in this paper. |
| キーワード(和) | InNのp型伝導制御 / MgドープInN / III-V窒化物 / 過剰ドープ効果 / MBE / ECV |
| キーワード(英) | P-type InN / Mg-doped InN / Mg-overdoping / III-V nitrides / MBE / ECV |
| 資料番号 | ED2008-162,CPM2008-111,LQE2008-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Achieving P-type InN and Its Characterization : Present Status and Future Prospects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InNのp型伝導制御 / P-type InN |
| キーワード(2)（和/英） | MgドープInN / Mg-doped InN |
| キーワード(3)（和/英） | III-V窒化物 / Mg-overdoping |
| キーワード(4)（和/英） | 過剰ドープ効果 / III-V nitrides |
| キーワード(5)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(6)（和/英） | ECV / ECV |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉川 明彦 / Akihiko YOSHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 新強 / Xinqiang WANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 崔 成伯 / Songbek CHE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronic Engineering |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石谷 善博 / Yoshihiro ISHITANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical and Electronic Engineering |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-162,CPM2008-111,LQE2008-106 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |