| 講演名 | 2008-11-27 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 川口 真生, 田村 聡之, 油利 正昭, |
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| 抄録(和) | 水平共振器を有するGaN系半導体レーザの端面を、レーザ光が表面へ全反射するように45°に加工することで、GaN系の面発光レーザを実現した。10mWを超える、既報告のGaN系面発光レーザで最も大きな光出力を得た。 |
| 抄録(英) | A GaN-based Surface-emitting laser was realized by total internal reflection (TIR) using an inclined mirror formed at one end of the horizontal cavity of an edge-emitting laser. A surface-emitting light output exceeding 10mW was obtained. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 面発光レーザ / 傾斜ミラー |
| キーワード(英) | GaN / surface-emitting laser / inclined-mirror |
| 資料番号 | ED2008-160,CPM2008-109,LQE2008-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A GaN-based Surface-emitting Laser with 45°-inclined Mirror in Horizontal-cavity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting laser |
| キーワード(3)（和/英） | 傾斜ミラー / inclined-mirror |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川口 真生 / Masao KAWAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 聡之 / Satoshi TAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 油利 正昭 / Masaaki YURI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Panasonic Corporation |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-160,CPM2008-109,LQE2008-104 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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