| 講演名 | 2008-11-27 GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 本田 徹, 小宮山 重利, 増山 佳宏, 渡邊 謙二, |
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| 抄録(和) | GaN系集積型発光素子は、マイクロディスプレイなどへの応用が期待されている。これまでに高効率発光ダイオードがGaInN系材料および量子井戸、pn接合により実現されているが、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチング(Al facepack法)により低リーク電流を実現した。これは、X線光電子分光法(XPS)および走査型電子顕微鏡(SEM)の観察結果から、窒化物薄膜の貫通転位(TD)直上周辺の表面改質がfacepack法により実現され、リークパスが低減したためと思われる。 |
| 抄録(英) | The reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky diodes was investigated using an aluminum facepack technique, which resulted in a decrease in the reverse-bias current. The large reverse-bias current was reduced by the facepack technique. This is due to the mask effect of the facepack reducing the number of dislocation-related leakage current paths. The reduction leads to the enhancement of quantum efficiency in Schottky-type light-emitting diodes (ST-LEDs). |
| キーワード(和) | GaN / LED / UV / 逆方向リーク電流 |
| キーワード(英) | GaN / LED / UV / reverse-bias current |
| 資料番号 | ED2008-159,CPM2008-108,LQE2008-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系MOS型紫外発光ダイオードの逆方向電流の低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of reverse-bias current in GaN-based metal-oxide-semiconductor diodes operating in UV spectral region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(3)（和/英） | UV / UV |
| キーワード(4)（和/英） | 逆方向リーク電流 / reverse-bias current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本田 徹 / Tohru HONDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部 Faculty of Engineering, Kogakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小宮山 重利 / Shigetoshi KOMIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部 Faculty of Engineering, Kogakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増山 佳宏 / Yoshihiro MASHIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部 Faculty of Engineering, Kogakuin University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邊 謙二 / Kenji WATANABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部 Faculty of Engineering, Kogakuin University |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-159,CPM2008-108,LQE2008-103 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |