| 講演名 | 2008-11-27 ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 遠野 充明, 張 晶, 直井 美貴, 酒井 士郎, 和地 順蔵, |
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| 抄録(和) | ナノインプリント技術および反応性イオンエッチング(RIE)を用いて,p-GaN上に正三角形状に配置した周期的円柱パターンを4種類形成した.GaNに対する反応ガスはBCl_3およびCl_2を用い,Niに対する反応ガスはArを用いた.ナノ構造の直径/周期(m)/高さは135nm/200nm/96nm,184nm/297nm96nm,232nm/395nm/103nm,284nm/498nm/103nmであった.これらナノ構造を有する試料に電極をつけ,発光特性を調べると,中心発光波長415nmの光に対して,周期(m)200nm,297nmでは,120°対称の光の筋が得られ,周期(m)395では,60°対称の光の筋が得られ,周期(m)498nmでも対称的な光の筋が得られた.この光の筋はGaN中における光の半波長の整数倍になる周期の方向と一致した. |
| 抄録(英) | We have fabricated several hundreds nano-scale periodic structure on p-GaN by using nano-imprint technique and RIE technique with column shape. We used BCl_3 and Cl_2 gas for etching of GaN and Ar gas for etching of Ni. The diameter, period and height of these structures were 136nm/200nm/96nm, 184nm/297nm/90nm, 232nm/400nm/94nm and 284nm/498nm/103nm, respectively. After deposition of p and n electrode, emission study by current injection was performed. The peak wavelength was 415nm. The output light from 200nm and 300nm period samples had 3-fold rotational symmetry and 6-fold rotational symmetry for 395nm period sample. The 498nm period samples had symmetrical output light. The direction of output light was corresponded to the direction of nano-structures whose periods had integer multiple of the half-wave length in GaN. |
| キーワード(和) | ナノインプリント / GaN / 周期的構造 / 電流注入発光特性 |
| キーワード(英) | Nano-imprint / GaN / periodic structure / Electroluminescence |
| 資料番号 | ED2008-158,CPM2008-107,LQE2008-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノインプリント技術により周期的微細構造を施したGaN系デバイスからの電流注入発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electroluminescence study of GaN based devices with several hundreds nano-scale periodic structure fabricated by nano-imprint technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノインプリント / Nano-imprint |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 周期的構造 / periodic structure |
| キーワード(4)（和/英） | 電流注入発光特性 / Electroluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠野 充明 / Mitsuaki TOHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 張 晶 / JING Zhang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 直井 美貴 / Yoshiki NAOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 士郎 / Shiro SAKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 徳島大学 Faculty of Engineering, The University of Tokushima |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 和地 順蔵 / Junzo WACHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | SCIVAX株式会社 SCIVAX Corporation |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-158,CPM2008-107,LQE2008-102 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |