| 講演名 | 2008-11-27 ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 小林 篤, 上野 耕平, 下元 一馬, 太田 実雄, 藤岡 洋, 尾嶋 正治, 天内 英貴, 長尾 哲, 堀江 秀善, |
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| 抄録(和) | これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで高品質な非極性面ヘテロ界面が実現し,この問題を解決できることが分かった. |
| 抄録(英) | We have succeeded in epitaxial growth of high-quality nonpolar and semipolar (Al,In,Ga) N films on ZnO substrates using room temperature growth technique by pulsed excitation deposition (PXD). ZnO is a chemically vulnerable material at elevated temperatures although it gives small lattice mismatches to III-nitrides and shares the same crystal symmetry. Therefore, it is difficult to grow high-quality films on ZnO substrates by conventional MOCVD or MBE techniques. On the other hand, the use of PXD allows us to grow nitrides at low temperatures thanks to high kinetic energy of film precursors. |
| キーワード(和) | III族窒化物半導体 / 非極性面 / ZnO / パルス励起堆積法 / 低温成長 |
| キーワード(英) | Group-III nitrides / nonpolar / semipolar / ZnO pulsed excitation deposition / low-temperature growth |
| 資料番号 | ED2008-155,CPM2008-104,LQE2008-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characterization of nonpolar and semipolar (Al,In,Ga) N films on ZnO substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III族窒化物半導体 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | 非極性面 / nonpolar |
| キーワード(3)（和/英） | ZnO / semipolar |
| キーワード(4)（和/英） | パルス励起堆積法 / ZnO pulsed excitation deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 低温成長 / low-temperature growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 篤 / Atsushi KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上野 耕平 / Kohei UENO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 下元 一馬 / Kazuma SHIMOMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 太田 実雄 / Jitsuo OHTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤岡 洋 / Hiroshi FUJIOKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(JST-CREST) Institute of Industrial Science, The University of Tokyo:CREST, Japan Scienceand Technology Agency |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 尾嶋 正治 / Masaharu OSHIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(JST-CREST) Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 天内 英貴 / Hidetaka AMANAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 長尾 哲 / Satoru NAGAO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 堀江 秀善 / Hideyoshi HORIE |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱化学科学技術研究センター Mitsubishi Chemical Group Science and Technology Research Center |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-155,CPM2008-104,LQE2008-99 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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