| 講演名 | 2008-11-27 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 塩田 倫也, 富田 祐貴, 杉山 正和, 霜垣 幸浩, 中野 義昭, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長(MOVPE:Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Selective Area Growth)を用いることで,1回の結晶成長で同一基板面内に異なる組成(波長,歪み)や膜厚を持つ多波長発光素子を作成することが可能である.本論文では大きな気相拡散効果を生じる広幅(>10μm)なマスクに着目し,マスク周辺における膜厚・発光波長分布を調べた.一方で,選択成長を数理化した気相拡散モデルを用い,製膜種の気相拡散の振る舞いを定量的に解析した.その結果InGaN成長条件下においては,GaN製膜種の拡散長が10μm程度と短く,大きな面内膜厚変調を生じることを見出した.更に,マスク上でのGaNの核発生を抑制するために水素添加を提案し,良好な選択性を達成した.選択性向上により気相拡散の効果が促進され,バルクInGaNの成長増大係数の最大値4.8,発光波長54nm(組成比換算11%)シフトを得た. |
| 抄録(英) | Selective area metal-organic vapor phase epitaxy (SA-MOVPE) allows in-plane control of layer composition and thickness. We have analyzed thickness and photoluminescence (PL) profiles of InGaN layers around the relatively wide (>10μm) selective masks. Numerical simulation using vapor phase diffusion model was also carried out. To obtain deposition selectivity between masks and crystal surface, in-situ etching using hydrogen is effective because it prevents GaN nucleation on mask. Consequently, the maximum growth rate enhancement of 4.8 and photoluminescence peak shift of 54nm (nominal 11% indium composition shift) were achieved for InGaN bulk layer. |
| キーワード(和) | 有機金属気相成長 / 選択成長 / InGaN / 反応速度論 / 成長モデル / モノリシック集積 |
| キーワード(英) | Metal-organic vapor phase epitaxy / selective area growth / InGaN / kinetic model / monolithic integration |
| 資料番号 | ED2008-154,CPM2008-103,LQE2008-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Proposal of InGaN-Based Multiple-Colored Light Emitting Devices Using Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長 / Metal-organic vapor phase epitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 反応速度論 / kinetic model |
| キーワード(5)（和/英） | 成長モデル / monolithic integration |
| キーワード(6)（和/英） | モノリシック集積 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩田 倫也 / Tomonari SHIODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科 Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo:School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 祐貴 / Yuki TOMITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉山 正和 / Masakazu SUGIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 霜垣 幸浩 / Yukihiro SHIMOGAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 School of Engineering, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中野 義昭 / Yoshiaki NAKANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科 Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo:School of Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-154,CPM2008-103,LQE2008-98 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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