| 講演名 | 2008-11-27 GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 酒井 優, 岸野 克巳, 菊池 昭彦, 関口 寛人, 猪瀬 裕太, 江馬 一弘, 大槻 東巳, |
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| 抄録(和) | GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1μm程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。 |
| 抄録(英) | Self-organized GaN nanocolumns are one-dimensional columnar nano-crystals, which have about 100nm in diameter and 1μm in height. Nanocolumns have high optical properties due to almost dislocation-free nature. And also, strong localization of light is expected in nanocolumns due to it's randomly distribution. In this study, we observed the random laser action in self-organized GaN nanocolumns for the first time. Polarization behavior, sample dependence, and theoretical approach using 2D-FDTD method will be also presented. |
| キーワード(和) | ランダムレージング / ランダムレーザー / 窒化物半導体 / ナノコラム / ランダム系 / 光の局在 |
| キーワード(英) | random laser / random lasing / nitride semiconductor / nanocolumn / disordered system / localization of light |
| 資料番号 | ED2008-153,CPM2008-102,LQE2008-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Random lasing in GaN nanocolumns |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダムレージング / random laser |
| キーワード(2)（和/英） | ランダムレーザー / random lasing |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | ナノコラム / nanocolumn |
| キーワード(5)（和/英） | ランダム系 / disordered system |
| キーワード(6)（和/英） | 光の局在 / localization of light |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 優 / Masaru SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 猪瀬 裕太 / Yuta INOSE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江馬 一弘 / Kazuhiro EMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大槻 東巳 / Tomi OHTSUKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:上智ナノテクノロジー研究センター:独立行政法人科学技術振興機構,CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:Sophia Nanotechnology Research Center:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-153,CPM2008-102,LQE2008-97 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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