| 講演名 | 2008-10-23 ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般) 鈴木 俊秀, 川野 陽一, 佐藤 優, 廣瀬 達哉, 原 直紀, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | ミリ波帯で設計可能なトランジスタの独自モデルとパラメータの開発、さらに配線ロスを低減する整合回路設計技術を用いて、90nm CMOSによるミリ波帯パワーアンプを実現した.出力特性は77GHzにおいて線形利得9.7dB、飽和出力10.4dBmを達成した.パワーアンプの実現により、ミリ波トランシーバーのCMOSによる1チップ化の可能性が開けた. |
| 抄録(英) | This paper introduces millimeter-wave band power amplifiers (PAs) using standard 90nm CMOS technology. By developing an accurate transistor model up to 80GHz and a matching network topology with short stub, we have succeeded at 77GHz operation of CMOS PAs. The 4-stage single PA achieved 9.7-dB linear gain and 10.4-dBm saturated output power (Psat). |
| キーワード(和) | ミリ波 / パワーアンプ / CMOS |
| キーワード(英) | millimeter-wave / Power amplifier / CMOS |
| 資料番号 | EMCJ2008-67,MW2008-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2008/10/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ミリ波帯CMOSパワーアンプ(マイクロ波/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Millimeter-Wave Power Amplifiers in CMOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(2)（和/英） | パワーアンプ / Power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川野 陽一 / Yoichi KAWANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 達哉 / Tatsuya HIROSE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2008-10-23 |
| 資料番号 | EMCJ2008-67,MW2008-111 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 257 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |