講演名 2008-10-31
高コンダクタンスC_<60>薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
北村 雅季, ナ ジョンホ, 荒川 泰彦,
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抄録(和) ボトムコンタクト型C_<60>薄膜トランジスタについて報告する。チャネル長は5から40μmである。移動度のチャネル長依存性を測定した結果,飽和領域の移動度はわずかにチャネル長に依存し,2.45から3.23cm^2/Vsであった。最高移動度3.23cm^2/Vsはチャネル長5μmのトランジスタで得られた。そのトランジスタでは119μS/mmと有機トランジスタとしては非常に高いコンダクタンスが得られた。短チャネルのトランジスタで高移動度が得られた理由を調べるため寄生抵抗を算出した。その結果,1kΩcm以下の値が得られた。この小さな寄生抵抗により短チャネルのトランジスタで移動度の低下がなく高移動度が達成できたものと考えられる。
抄録(英) Bottom-contact C_<60> thin-film transistors (TFTs) have been fabricated. The channel lengths (L) ranged from 5 to 40μm. The saturation mobilities slightly depended on the channel length, ranging from 2.45 to 3.23cm^2/Vs. The highest mobility of 3.23cm^2/Vs was obtained from a TFT with L=5μm. The TFT had a conductance of 119μS/mm; which is relative high as compared to conventional organic TFTs. To investigate the reason that the short channel TFTs has high mobilities, we examined parasitic resistance. The calculated parasitic resistance was less than 1kWcm. The low parasitic resistance causes high mobility of the TFTs with with L=5μm.
キーワード(和) C_<60> / ボトムコンタクト / 薄膜トランジスタ / コンダクタンス / 寄生抵抗
キーワード(英) C_<60> / bottom contact / thin-film transistor / conductance / parasitic resistance
資料番号 OME2008-52
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2008/10/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高コンダクタンスC_<60>薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Large conductance C_<60> thin-film transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) C_<60> / C_<60>
キーワード(2)(和/英) ボトムコンタクト / bottom contact
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin-film transistor
キーワード(4)(和/英) コンダクタンス / conductance
キーワード(5)(和/英) 寄生抵抗 / parasitic resistance
第 1 著者 氏名(和/英) 北村 雅季 / Masatoshi KITAMURA
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学先端科学技術研究センター
Institute for Nano Quantum Information Electronics (INQIE), The University of Tokyo:Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) ナ ジョンホ / Jong Ho NA
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学先端科学技術研究センター
Institute for Nano Quantum Information Electronics (INQIE), The University of Tokyo:Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学先端科学技術研究センター
Institute for Nano Quantum Information Electronics (INQIE), The University of Tokyo:Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo
発表年月日 2008-10-31
資料番号 OME2008-52
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 272
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日