| 講演名 | 2008-10-31 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般) 成田 幸介, 山内 博, 飯塚 正明, 国吉 繁一, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | 本研究では、ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化に向け、ゲート絶縁材料の評価とOFETの大気に対する耐性の改善を行った。OFETを作製するためには、溶液の重ね塗りが必要で、ゲート絶縁層は半導体材料の溶媒に不溶である必要がある。そこで、ゲート絶縁材料として耐溶媒性に優れた材料を選択し、その電気特性を評価しFETを作製した。また、一般に有機半導体は大気中の酸素や水分の影響で電気特性が変化しやすい。半導体層を大気から遮断するために、封止材料を用いて半導体層を被覆した、大気に対する耐性の強いOFETが実現できることを示した。 |
| 抄録(英) | In this work, the evaluation of gate insulating materials for organic field effect transistor (OFET) and improvement of air-stability of OFET were performed toward practical use of OFETs. To fabricate OFETs by solution process, the gate insulating material is not dissolved in solvent for organic semiconductor materials. We chose a gate insulating material having solvent resistance and examined electrical characteristics of the gate insulating layer. In general, electrical characteristics of organic semiconductors are unstable in the ambient atmosphere. A passivation film was employed to avoid the exposure to air and air-stable OFETs are realized by solution process. |
| キーワード(和) | ウェットプロセス / 有機FET / ゲート絶縁材料 / 封止材料 |
| キーワード(英) | solution process / OFET / insulating materials / passivation materials |
| 資料番号 | OME2008-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of P3HT Field Effect Transistor Using Organic Insulating Materials by Solution Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウェットプロセス / solution process |
| キーワード(2)（和/英） | 有機FET / OFET |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁材料 / insulating materials |
| キーワード(4)（和/英） | 封止材料 / passivation materials |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成田 幸介 / Kosuke NARITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山内 博 / Hiroshi YAMAUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯塚 正明 / Masaaki IIZUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学教育学部 Faculty of Education, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 国吉 繁一 / Shigekazu KUNIYOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2008-10-31 |
| 資料番号 | OME2008-50 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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