| 講演名 | 2008-10-10 Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術) 熊谷 勇喜, 寺本 章伸, 阿部 健一, 藤澤 孝文, 渡部 俊一, 諏訪 智之, 宮本 直人, 須川 成利, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | シリコン酸化膜にFowler-Noldheim (F-N)電子注入ストレスを印加した際の、stress-induced leakage current (SILC)と、random telegraph signalノイズの相関を、およそ8万個のn-MOSFETについて調査したので報告する。5.7nmの熱酸化膜に11MV/cmの定電界ストレスを印加すると、非常に大きなSILCを有するMOSFETの数と振幅の大きなRTSを有するMOSFETの数の両方が増加する。しかし、大きなSILCを有するMOSFETが、同時に振幅の大きなRTSも有しているとは限らないことがわかった。 |
| 抄録(英) | In this paper, we report the correlation between anomalous stress-induced leakage current (SILC) and random telegraph signal (RTS) in about 80,000n-MOSFETs caused by the Fowler-Nordheim (F-N) electron tunneling stress. The number of MOSFETs that has large RTS increases and the number of MOSFETs that have anomalous SILC increases by applying F-N stress, respectively. It is also found that, however, the MOSFETs that have large RTS are not correlation with ones that have large anomalous SILC. |
| キーワード(和) | 異常SILC / RTS / ビット不良 / トラップ |
| キーワード(英) | anomalous SILC / RTS / Bit error / trap |
| 資料番号 | SDM2008-165 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between Stress Induced Leakage Current and Random Telegraph Signal noise |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 異常SILC / anomalous SILC |
| キーワード(2)（和/英） | RTS / RTS |
| キーワード(3)（和/英） | ビット不良 / Bit error |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊谷 勇喜 / Yuki KUMAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu TERAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阿部 健一 / Kenichi ABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤澤 孝文 / Takafumi FUJISAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡部 俊一 / Shunichi WATABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 諏訪 智之 / Tomoyuki SUWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮本 直人 / Naoto MIYAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi SUGAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro OHMI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-10-10 |
| 資料番号 | SDM2008-165 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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