| 講演名 | 2008-10-10 Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumulation-mode CMOS on Si(110) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper demonstrates the characteristic of Accumulation-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator (Acc-FD-SOI) MOSFETs fabricated on Si(110). Acc-FD-SOI-nMOSFET's current drivability is 1.2 times higher than conventional Inversion-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator (Inv-FD-SOI) MOSFETs. The current drivability of nMOSFET and pMOSFET is perfectly equavelent by implementing Accumlation-mode device structure to nMOSFETs on Si(110). A novel CMOS inverter consisted of Inversion-mode pMOSFET and Accumulation-mode nMOSFET shows good characteristic and occupy only half of the area on silicon compared to conventional inverter fabricated on Si(100). |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Silicon-On-Insulator / Accumulation mode / CMOS |
| 資料番号 | SDM2008-164 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumulation-mode CMOS on Si(110) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Silicon-On-Insulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Ching Foa TYE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-10-10 |
| 資料番号 | SDM2008-164 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |