| 講演名 | 2008-10-10 Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術) 高 峻, 石川 純平, 大見 俊一郎, |
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| 抄録(和) | PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後、窒素中400-750℃のアニールを行いPt_xHf_<1-x>Siを形成した。Pt(15nm)/Hf(8nm)/n-Si(100)構造に対して、750℃/5minでシリサイド化した場合、障壁高さが0.1eV低減されたことに対し、400℃/60minでシリサイド化した場合、障壁高さを0.3eV低減可能であることが分かった。これは、400℃でシリサイド化した場合、平坦性が改善し、界面特性が向上したためと考えられる。 |
| 抄録(英) | Mechanisms of work function modulation in PtSi alloying with Hf was investigated. When a silicidation of Pt(15nm)/Hf(8nm)/n-Si(100) was carried out at 750℃/5min in N_2 ambient, 0.1eV reduction of barrier height for electron was observed, while 0.3eV reduction was observed in case of 400℃/60min silicidation. This is attributed to that the uniformity of the silicide thin film was improved in case of 400℃/60 min silicidation. |
| キーワード(和) | PtSi / モノシリサイド / 混晶 / 障壁高さ / 仕事関数 / シート抵抗 |
| キーワード(英) | PtSi / mono-silicide / alloy / barrier height / work function / sheet resistance |
| 資料番号 | SDM2008-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on work function modulation in PtSi alloying with Hf |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PtSi / PtSi |
| キーワード(2)（和/英） | モノシリサイド / mono-silicide |
| キーワード(3)（和/英） | 混晶 / alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 障壁高さ / barrier height |
| キーワード(5)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| キーワード(6)（和/英） | シート抵抗 / sheet resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高 峻 / Jun GAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工研究科物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 純平 / Junpei ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東工大 / |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro OHMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東工大 |
| 発表年月日 | 2008-10-10 |
| 資料番号 | SDM2008-162 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |