| 講演名 | 2008-10-10 B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術) 川崎 洋司, 遠藤 誠一, 北澤 雅史, 丸山 祥輝, 山下 朋弘, 黒井 隆, 吉村 秀文, 米田 昌弘, |
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| 抄録(和) | B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにおいて、SDE注入を従来のBF_2からB_<18>H_xに置き換えることが可能であることがわかった。さらにミリ秒アニール単独の条件ではシート抵抗、接合深さ、接合リーク電流の観点からB_<18>H_x注入がB注入、BF_2注入およびGe-PAIをともなうB注入の条件と比べて有利であることがわかった。 |
| 抄録(英) | We investigated the application properties of cluster implantation for milli-second annealing processing. We successfully replaced BF_2 with B_<18>H_<22> to SDE implantation in pMOSFETs with the activation processing of MSA and spike-RTA. In the activation processing with only MSA, we found that B_<18>H_<22> implant is more advantageous from the viewpoint of R_s, X_j and leakage current, compared to B, BF_2 and B with Ge-PAI. |
| キーワード(和) | イオン注入 / 極低エネルギー / B_<18>H_<22> / ミリ秒アニール / スパイクアニール |
| キーワード(英) | ion implantation / ultra low energy / B_<18>H_<22> / millisecond annealing / spike annealing |
| 資料番号 | SDM2008-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Application Property of B_<18>H_<22> Implantation for Millisecond Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | 極低エネルギー / ultra low energy |
| キーワード(3)（和/英） | B_<18>H_<22> / B_<18>H_<22> |
| キーワード(4)（和/英） | ミリ秒アニール / millisecond annealing |
| キーワード(5)（和/英） | スパイクアニール / spike annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川崎 洋司 / Yoji KAWASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 誠一 / Seiichi ENDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北澤 雅史 / Masashi KITAZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸山 祥輝 / Yoshiki MARUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山下 朋弘 / Tomohiro YAMASHITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 黒井 隆 / Takashi KUROI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉村 秀文 / Hidefumi YOSHIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 米田 昌弘 / Masahiro YONEDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2008-10-10 |
| 資料番号 | SDM2008-161 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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