| 講演名 | 2008-10-09 超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用(プロセス科学と新プロセス技術) 遠藤 明, 山下 格, 芹澤 和実, 大沼 宏彰, 小野寺 拓, 古山 通久, 坪井 秀行, 畠山 望, 高羽 洋充, / 久保 百司, 宮本 明, |
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| 抄録(和) | シリコン半導体のサイズ縮小と高集積化にともない,より精密なキャラクタリゼーション手法の開発が求められており,電子・原子レベルシミュレーション手法の活用が期待されている.本稿では,当研究室で最近開発したTight-binding近似に基づく超高速化量子分子動力学法に基づくキャラクタリゼーションシミュレータ(振動スペクトルシミュレータ,原子間力顕微鏡シミュレータ,走査型トンネル電子顕微鏡シミュレータなど)の開発と半導体分野への応用について報告する. |
| 抄録(英) | More precise methods for characterization are strongly demanded upon both miniaturization and integration of silicon semiconductors. In this paper, the development of our novel ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics (UA-QCMD) method based on our original tight-binding approximation is reported. The development of novel characterization simulators, vibrational spectroscopy simulator, atomic force microscope simulator, and scanning tunneling microscope simulator, which are based on our UA-QCMD method, and their applications to the filed of semiconductor are also reported. |
| キーワード(和) | 超高速化量子分子動力学法 / 振動スペクトルシミュレータ / 原子間力顕微鏡シミュレータ / 走査型トンネル電子顕微鏡シミュレータ |
| キーワード(英) | Ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method / Vibrational spectroscopy simulator / Atomic force microscope simulator / Scanning tunneling microscope simulator |
| 資料番号 | SDM2008-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of characterization/spectroscopic simulators based on ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method and its application to Si semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超高速化量子分子動力学法 / Ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method |
| キーワード(2)（和/英） | 振動スペクトルシミュレータ / Vibrational spectroscopy simulator |
| キーワード(3)（和/英） | 原子間力顕微鏡シミュレータ / Atomic force microscope simulator |
| キーワード(4)（和/英） | 走査型トンネル電子顕微鏡シミュレータ / Scanning tunneling microscope simulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira ENDOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山下 格 / Itaru YAMASHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科化学工学専攻 Department of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 芹澤 和実 / Kazumi SERIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大沼 宏彰 / Hiroaki ONUMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小野寺 拓 / Tasuku ONODERA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古山 通久 / Michihisa KOYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科化学工学専攻 Department of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 坪井 秀行 / Hideyuki TSUBOI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 畠山 望 / Nozomu HATAKEYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高羽 洋充 / Hiromitsu TAKABA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科化学工学専攻 Department of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | / 久保 百司 / Caprio Carlos A. Del |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科応用化学専攻 Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Momoji KUBO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター Fracture and Reliability Research Institute, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-10-09 |
| 資料番号 | SDM2008-156 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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