| 講演名 | 2008-10-09 エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術) 沼田 雅之, 黒木 伸一郎, 藤井 俊太朗, 小谷 光司, 伊藤 隆司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2μm^2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、TFTの高性能化に有効である。しかし、この結晶化によりSi薄膜表面に数十nmの凹凸が形成される。これを平坦化するために、化学的機械的平坦化を検討したので報告する。 |
| 抄録(英) | CW laser crystallization of amorphous silicon films is a promising method to realize thin film transistor with high performance. However, the laser crystallized silicon films have large surface roughness. In this paper, a chemical mechanical polishing of laser crystallized Si films was reported. |
| キーワード(和) | CMP / レーザ結晶化 / TFT |
| キーワード(英) | CMP / laser crystallization / TFT |
| 資料番号 | SDM2008-151 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/10/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Planarization of CW laser crystallized Si thin films by chemical mechanical polishing using slurry with ethyl alcohol |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ結晶化 / laser crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | TFT / TFT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沼田 雅之 / Masayuki Numata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 俊太朗 / Shuntaro Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小谷 光司 / Koji Kotani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-10-09 |
| 資料番号 | SDM2008-151 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |