| 講演名 | 2008-10-30 電気磁気効果実現を目指したCr_2O_3スパッタ薄膜作製(薄膜プロセス・材料,一般) 大月 俊平, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | 電気磁気(ME)効果とは電界を印加すると磁化を発生させる現象、あるいは磁場を加えることによって分極を起こす現象である。我々はネール温度が室温以上(308K)である代表的な電気磁気材料のCr_2O_3に注目した。Cr_2O_3薄膜はCeO_2//Nb-SrTiO_3(100)(Nb-STO)(0.5wt.%,Nbドープ)上にoff-axis DC-RFマグネトロンスパッタ法によりCrメタルターゲットを用いて作製された。バッファ層であるCeO_2薄膜の作製は同様のスパッタ装置で作製した。Cr_2O_3薄膜の作製は基板温度510℃～630℃で行った。基板温度600℃で作製した膜の結晶性は最も良好で半値幅は0.88deg、平均面荒さ(Ra)は基板温度560℃の膜で最も良く、3.31nmとなった。一方、膜絶縁破壊電圧は結晶性、Raが比較的悪かった基板温度510℃で作製されたCr_2O_3薄膜において0.145MV/cmまで向上した。 |
| 抄録(英) | The magnetoelectric (ME) effect is defined as the appearance of magnetization induced by applied electric field and vice versa. A Cr_2O_3 is focused as a representative magnetoelectric material and/or an antiferromagnetic insulator with the Neel temperature of 308K. The Cr_2O_3 films were prepared from a Cr metal target by a DC-RF hybrid magnetron sputtering method on CeO_2//Nb-SrTiO_3 (100) (Nb-STO). The buffer CeO_2 thin films were made with the same sputtering equipment. Cr_2O_3 thin films were prepared at substrate temperature, 510℃ 630℃ The best Full Width Half Maximum, 0.88 degree and the best average roughness (Ra), 3.31nm was obtained in the film deposited on 600℃ substrates and on 560℃ substrates, respectively. On the other hand, the isolation voltage of the film was increased up to 0.145MV/cm in the inferior crystalline film deposited on 510℃ substrates with comparatively high Ra. |
| キーワード(和) | 電気磁気効果 / スパッタリング / Cr_2O_3 / CeO_2 / Nb-STO |
| キーワード(英) | magnetoelectric (ME) effect / sputtering / Cr_2O_3 / CeO_2 / Nb-STO |
| 資料番号 | CPM2008-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気磁気効果実現を目指したCr_2O_3スパッタ薄膜作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Sputtered Cr_2O_3 Thin Films Aiming for Magnetoelectric Effect Appearance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気磁気効果 / magnetoelectric (ME) effect |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | CeO_2 / CeO_2 |
| キーワード(5)（和/英） | Nb-STO / Nb-STO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大月 俊平 / Shummpei OTSUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki IWATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
| 発表年月日 | 2008-10-30 |
| 資料番号 | CPM2008-85 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |