| 講演名 | 2008-10-31 Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 高橋 沙季, 二木 雅斗, 中村 陽平, 清水 英彦, 岩野 春男, 福嶋 康夫, 永田 向太郎, 星 陽一, |
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| 抄録(和) | 本研究では,RF-DC結合形スパッタ法に,基板バイアススパッタ法を組み合わせる方法を用いて,低温でITO膜を結晶化させる方法の検討をするために,この方法において電極と基板の間を変化させ,基板バイアススパッタによる膜の結晶化の効果について検討を行った。その結果,電極-基板間距離を小さくすると膜の顕著な結晶性の向上や抵抗率の減少をさせることができなかった。電極-基板間距離を大きくすると,小さい場合に比べ,イオン衝撃量は減少するものの,膜の結晶性の向上や抵抗率の減少を行うことができた。これらはイオン衝撃による加熱効果ではなく,Arイオンと膜表面粒子との運動量交換及び膜中の酸素の選択的スパッタ放出に起因していると考えられる。 |
| 抄録(英) | In order to examine deposition method to crystallize an ITO film at low temperature, deposition of ITO thin films was attempted by the combination of RF-DC coupled magnetron sputtering method and substrate bias sputtering method. As a result, when distance between target and substrate was short, the ITO film having the good crystallinity and low resestivity was not obtained. When distance between target and substrate was long, compared with short, the amount of Ar ion bombardment decreased. But tthe crystallinity of the film improved and the resestivity of the film decreased. This result is not a heated effect by the ion bombardment. It is thought that. Ar ions and particles of the film surface are caused by having changed a momentum and the oxygen of films is caused by it being done selective sputtering. |
| キーワード(和) | ITO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 基板バイアススパッタ法 / 低温度 |
| キーワード(英) | ITO thin film / RF-DC coupled magnetron sputtering method / substrate bias sputtering / low temperature |
| 資料番号 | CPM2008-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of Ar ion bombardment effect to ITO Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ITO薄膜 / ITO thin film |
| キーワード(2)（和/英） | RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled magnetron sputtering method |
| キーワード(3)（和/英） | 基板バイアススパッタ法 / substrate bias sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 低温度 / low temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 沙季 / Saki TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 二木 雅斗 / Masato NIKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 陽平 / Youhei NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo IWANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福嶋 康夫 / Yasuo FUKUSHIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 永田 向太郎 / Koutarou NAGATA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechinic University |
| 発表年月日 | 2008-10-31 |
| 資料番号 | CPM2008-84 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |