| 講演名 | 2008-10-30 SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般) 本間 拓也, 佐藤 薫, 下村 健晴, 邵 力捷, 清水 英彦, 岩野 春男, 星 陽一, |
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| 抄録(和) | マグネトロンスパッタ(MS)法によりZnO系透明導電膜を作製する場合の膜作製プロセスに起因する問題点を明らかにするために,MS法及びスパッタビーム堆積(SBD)法によりAZO薄膜を作製し,検討を行った。その結果,X線回折測定結果により,MS法及びSBD法ともにエロージョン上付近よりターゲット中心軸側では結晶性が悪く,エロージョン上付近より外側では結晶性が良くなることが分かった。膜組成に関しては,作製方法,スパッタガス圧により,膜面内分布が大きく異なった。また,膜面内の抵抗率の変化は,膜内部の結晶性と関係があると考えられた。 |
| 抄録(英) | In order to clarify a problem in sputtering deposition process when zinc oxide films of transparent conductive oxides were deposited by magnetron sputtering (MS) method, we examined properties of AZO films deposited by MS method and sputter-beam deposition (SBD) method. As a result, the films of inside from position of substrate above the erosion deposited by MS and SBD method had bad crystallinity whereas the films of outside from position of substrate above the erosion deposited by MS and SBD method had good crystallinity. The composition of the film in a inplane direction was different by a depositon method and sputtering gas pressure. It was thought that the change in the resistivity in the film was related to crystalline in the film. |
| キーワード(和) | ZnO系透明導電膜 / 抵抗率 / スパッタビーム堆積法 / エロージョン |
| キーワード(英) | ZnO thin films / resistivity / Sputter-Beam Deposition Method / Erosion |
| 資料番号 | CPM2008-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristic of AZO Thin Films Deposited by SBD Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO系透明導電膜 / ZnO thin films |
| キーワード(2)（和/英） | 抵抗率 / resistivity |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタビーム堆積法 / Sputter-Beam Deposition Method |
| キーワード(4)（和/英） | エロージョン / Erosion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本間 拓也 / Takuya Honma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Guraduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 薫 / Kaoru Satou |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Guraduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 下村 健晴 / Takeharu Shimomura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Guraduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 邵 力捷 / Rijin Syou |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo Iwano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi Hoshi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Polytechnics University |
| 発表年月日 | 2008-10-30 |
| 資料番号 | CPM2008-79 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |