| 講演名 | 2008-10-30 ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般) 須藤 晴紀, 黒田 朋義, 加藤 有行, 西山 洋, 井上 泰宣, 赤羽 正志, 高田 雅介, 安井 寛治, |
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| 抄録(和) | モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe,SiCナノドットに対して,構造,表面組成を調べると共に,SiまたはSiCによりキャッピングした構造におけるフォトルミネッセンス(PL)の測定を行った.走査型トンネル顕微鏡(STM)観察によりドット平均径9nm,密度6.6×10^<11>cm^<-2>と見積もられたSiC,Geナノドットの形成表面に対するX線光電子分光(XPS)分析から,GeナノドットとSiCナノドットがおよそ1:2の割合で形成されることが示唆された.この高密度ナノドットをSiまたはSiCによりキャッピングした構造に対する低温PL測定を行った結果,1.04eV近傍にGeナノドットに由来すると考えられる発光ピークを確認した. |
| 抄録(英) | Surface structure and surface composition of Ge and SiC nanodot-fabricated surface on a Si(001) substrate using monomethylgermane were investigated by scanning tunneling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the formation of capping layers by Si and SiC on the Ge, SiC nanodot surface, photoluminescence spectra were also measured at 34K. From the quantitative analysis of XPS spectra, it was estimated that the Ge and SiC nanodots exsisted in the ratio of about 1:2. PL peak around 1.04eV, which is derived from the Ge nanodots, was observed. |
| キーワード(和) | Geナノドット / SiCナノドット / モノメチルゲルマン / STM / XPS / PL |
| キーワード(英) | Ge nanodot / SiC nanodot / monometylgermane / STM / XPS / PL |
| 資料番号 | CPM2008-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical properties of Ge nanodots capped by wide gap semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノドット / Ge nanodot |
| キーワード(2)（和/英） | SiCナノドット / SiC nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | モノメチルゲルマン / monometylgermane |
| キーワード(4)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | PL / PL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須藤 晴紀 / Haruki SUTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 朋義 / Tomoyoshi KURODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 有行 / Ariyuki KATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 洋 / Hiroshi NISHIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 泰宣 / Yasunobu INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高田 雅介 / Masasuke TAKATA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2008-10-30 |
| 資料番号 | CPM2008-77 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |