| 講演名 | 2008-10-30 反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般) 山口 拓也, 坪井 望, 大石 耕一郎, 小林 敏志, 金子 双男, |
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| 抄録(和) | Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS_2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより,[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した.薄膜の組成は,高CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)擬固溶体系に,低CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(InS,In_5S_4)擬固溶体系に対応して変化した.CuInS_2の化学量論組成に対応した薄膜はp形で,CuInS_2,以外のX線回折ピークは観測されず,その基礎吸収端はCuInS_2の禁制帯幅に対応していた. |
| 抄録(英) | CuInS_2 films with various [Cu]/[In] ratios were deposited on soda lime glass substrates at 450℃ by sputtering alternatively Cu and In targets under Ar-diluted CS_2 (CS_2: 2-5mTorr) atmosphere. Composition of the films deposited under high and low CS_2 pressures corresponded to the (Cu_2S, Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3) system line and the (Cu_2S, Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(InS, In_5S_4) system line, respectively. The smooth surface films with the stoichiometric composition of CuInS_2 exhibited the CuInS_2 XRD lines only, and had the absorption edge corresponding to the energy gap of CuInS_2 and p-type conductivity. |
| キーワード(和) | 薄膜太陽電池材料 / CuInS_2 / 反応性スパッタ / 化合物半導体 / 薄膜 |
| キーワード(英) | Thin Film Solar Cell Material / CuInS_2 / Reactive Sputtering / Compound Semiconductor / Thin Film |
| 資料番号 | CPM2008-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/10/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Characterization of CuInS_2 Films by Reactive Sputtering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜太陽電池材料 / Thin Film Solar Cell Material |
| キーワード(2)（和/英） | CuInS_2 / CuInS_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性スパッタ / Reactive Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 化合物半導体 / Compound Semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / Thin Film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 拓也 / Takuya YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu TSUBOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科:新潟大学工学部:新潟大学超域研究機構 Graduate School of Science and Technology, Niigata University:Faculty of Engineering, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大石 耕一郎 / Koichiro OISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 敏志 / Satoshi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / Futao KANEKO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科:新潟大学工学部:新潟大学超域研究機構 Graduate School of Science and Technology, Niigata University:Faculty of Engineering, Niigata University:Center for Transdisciplinary Research, Niigata University |
| 発表年月日 | 2008-10-30 |
| 資料番号 | CPM2008-75 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |