| 講演名 | 2008-08-29 S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ 青嶋 真, 三谷 英三, 佐野 征吾, |
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| 抄録(和) | 我々はAlGaN/GaN HEMTを用いS帯ハイパワーパレットアンプを開発した。開発したパレットアンプは、パルス幅200μs・Duty=10%のゲートパルス条件下で、周波数2.9GHz-3.3GHzの400MHz帯域・ドレイン電圧65Vで飽和出力約800W・ドレイン効率52%以上を達成した。ドレイン電圧80V・周波数3.2GHzにおいては1kWの出力を記録した。また、過渡熱抵抗を用いた熱解析と、赤外線カメラによる実測定の結果、ハイパワーレーダーアプリケーション用途で、熱的に十分余裕があることが確認できた。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | GaN HEMT / High Power / Pulse / S-Band / 高出力 / パルス / Sバンド |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | MW2008-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2008/8/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A kW-class AlGaN/GaN HEMT Pallet Amplifier for S-band High Power Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | High Power |
| キーワード(3)（和/英） | Pulse |
| キーワード(4)（和/英） | S-Band |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 |
| キーワード(6)（和/英） | パルス |
| キーワード(7)（和/英） | Sバンド |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青嶋 真 |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三谷 英三 |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐野 征吾 |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 発表年月日 | 2008-08-29 |
| 資料番号 | MW2008-100 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |