| 講演名 | 2008-08-04 ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 福田 永, 植杉 克弘, |
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| 抄録(和) | スピンコート法を用い、位置規則性を持つポリ3ヘキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定な結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネルモード動作を示し、最大キャリア移動度において、1.2×10^<-3>cm^2/Vsを有する性能が得られた。さらに、8638ppmのH_2ガスに応答することが確認できた。 |
| 抄録(英) | Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a spin coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 1.2×10^<-3>cm^2/Vs in the p-channel operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 8638ppm of H_2 gas. |
| キーワード(和) | 有機薄膜 / ポリ3ヘキシルチオフェン / 薄膜トランジスタ / ガスセンサ / 水素 |
| キーワード(英) | Organic Thin Film / Poly-3-hexylthiophene / Thin-film Transistor / Gas Sensor / Hydrogen |
| 資料番号 | CPM2008-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/7/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機薄膜 / Organic Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | ポリ3ヘキシルチオフェン / Poly-3-hexylthiophene |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-film Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | ガスセンサ / Gas Sensor |
| キーワード(5)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 植杉 克弘 / Katsuhiro UESUGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-08-04 |
| 資料番号 | CPM2008-45 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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