講演名 | 2008-08-04 ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用 今村 哲也, 馬渡 康輝, 福田 永, 田畑 昌祥, |
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抄録(和) | ラセン構造を持つ置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用を試みた。置換ポリアセチレンはRh錯体触媒による重合反応により得られ、有機溶媒に可溶であることからスピンコート法により成膜した。側鎖にチオフェン環を有するポリ3-エチニルチオフェン(P3ET)はp型半導体として動作し、最大で6.7×10^<-3>cm^2/Vsのキャリア移動度を有する性能が得られた。 |
抄録(英) | Organic thin film transistors (OTFTs) using substituted polyacetylenes which have a helical form were fabricated. Substituted polyacetylenes soluble to various organic solvents were obtained using a rhodium complex as the stereoregular polymerization catalyst of the substituted acetylenes. The polymer thin films were formed by spin coating method. Poly(3-ethynylthiophene) bearing a thiophene ring as the side-chain is operated at p-type semiconductor and the maximum field-effect mobility of the P3ET OTFT is estimated at 6.7×10^<-3>cm^2/Vs. |
キーワード(和) | 有機トランジスタ / 置換ポリアセチレン / Rh錯体触媒 / ポリ2-エチニルチオフェン / ポリ3-エチニルチオフェン |
キーワード(英) | Organic Thin Film Transistor / Substituted Polyacetylene / Rh Complex Catalyst / Poly(2-ethynylthiophene) / Poly(3-ethynylthiophene) |
資料番号 | CPM2008-44 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2008/7/28(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Organic Thin Film Transistor with Substituted Polyacetylenes containing Hetero Atoms |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 有機トランジスタ / Organic Thin Film Transistor |
キーワード(2)(和/英) | 置換ポリアセチレン / Substituted Polyacetylene |
キーワード(3)(和/英) | Rh錯体触媒 / Rh Complex Catalyst |
キーワード(4)(和/英) | ポリ2-エチニルチオフェン / Poly(2-ethynylthiophene) |
キーワード(5)(和/英) | ポリ3-エチニルチオフェン / Poly(3-ethynylthiophene) |
第 1 著者 氏名(和/英) | 今村 哲也 / Tetsuya IMAMURA |
第 1 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technolgy |
第 2 著者 氏名(和/英) | 馬渡 康輝 / Yasuteru MAWATARI |
第 2 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technolgy |
第 3 著者 氏名(和/英) | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
第 3 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technolgy |
第 4 著者 氏名(和/英) | 田畑 昌祥 / Masayoshi TABATA |
第 4 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technolgy |
発表年月日 | 2008-08-04 |
資料番号 | CPM2008-44 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 178 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |