| 講演名 | 2008-08-04 交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製 清水 英彦, 平田 真, 岡田 智弘, 岩野 春男, 川上 貴浩, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本研究では,マグネトロンスパッタ(MS)法及びスパッタビーム堆積(SBD)法を用いてMg膜とNi膜を交互に積層する方法により,Mg-Ni薄膜の微細構造の制御方法の検討をするとともに,この方法により作製された薄膜の基礎的な特性を明らかにすることを目的に検討を行った。その結果,MS法により室温で作製された膜からは,Mg(002)面からの回折ピークが顕著に観測されたのに対し,SBD法により室温で堆積された膜からはNi(111)面からの回折ピークは観測された。室温で作製した場合,MS法に比べSBD法により作製された膜の方が,Mg膜とNi膜の界面がより急峻であった。希釈された水素雰囲気中での透過率は,SBD法により作製された膜よりMS法により作製された膜の方が高くなった。 |
| 抄録(英) | Mg-Ni films were attempted by alternation layer deposition of Mg film and Ni film using magnetron spattering (MS) and sputter-beam deposition (SBD) method. As a result, The diffraction peak from the Mg(002) plane was observed in the films deposited by MS method, whereas the diffraction peak from the Ni(111) plane was observed in the films deposited by SBD method. When films deposited at room temperature, the interface between the Mg and the Ni of the film deposited by SBD method was clearer than that of the film made by the MS method. The transmittance in the diluted hydrogen atmosphere of the films deposited by MS method was higher than that of the films made by SBD method. |
| キーワード(和) | Mg-Ni膜 / 交互積層 / 調光ミラー / マグネトロンスパッタ法 / スパッタビーム堆積法 |
| キーワード(英) | Mg-Ni Film / Alternate Layer Deposition / Switching mirror / Magnetron Spattering Method / Sputter-Beam Deposition Method |
| 資料番号 | CPM2008-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/7/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Mg-Ni Thin Films by Alternation Layer Deposition Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Mg-Ni膜 / Mg-Ni Film |
| キーワード(2)（和/英） | 交互積層 / Alternate Layer Deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 調光ミラー / Switching mirror |
| キーワード(4)（和/英） | マグネトロンスパッタ法 / Magnetron Spattering Method |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタビーム堆積法 / Sputter-Beam Deposition Method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平田 真 / Makoto HIRATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 智弘 / Tomohiro OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo IWANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro KAWAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2008-08-04 |
| 資料番号 | CPM2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |