講演名 2008-08-29
ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
岡本 健志, 須藤 信也, 鶴岡 清貴, ニールセン マッス, 水谷 健二, 佐藤 健二, 工藤 耕治,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 高密度波長多重(DWDM)光通信システムにおいて、省エネ・低コストで広波長帯域をカバーできる波長可変レーザが強く求められている。これらの要求を満たす光源として、石英系導波路リングフィルタと半導体光増幅器(SOA)とをハイブリッド集積した広帯域波長可変レーザが報告されている。今回、光源の大幅な小型化を図るため、フィルタ部の半導体化を検討、新たにループ配置半導体リング・MZIフィルタ構造を提案する。そして、全機能領域をモノリシック集積した波長可変レーザにおいて波長可変幅(Δλ=)39nmを得たので報告する。
抄録(英) Widely wavelength-tunable lasers with low power consumption and low cost are indispensable for dense wavelength division multiplexing (DWDM) network systems. External cavity tunable lasers were reported with ring resonators on a silica waveguide-based planar lightwave circuit (PLC) that was hybridly integrated with a semiconductor optical amplifier (SOA) chip. In this paper, we propose a very compact monolithically integrated wideband tunable laser diode with a novel ring/MZI loop-filter structure and show 39-nm tuning range.
キーワード(和) 波長可変レーザ / 半導体レーザ / モノリシック集積技術 / リング共振器
キーワード(英) wavelength-tunable laser / semiconductor laser / monolithic integration technology / ring resonator
資料番号 EMD2008-46,CPM2008-61,OPE2008-76,LQE2008-45
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2008/8/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Compact Widely Wavelength-Tunable Laser Diode Monolithically Integrated with a Ring/MZI Loop-Filter
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 波長可変レーザ / wavelength-tunable laser
キーワード(2)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser
キーワード(3)(和/英) モノリシック集積技術 / monolithic integration technology
キーワード(4)(和/英) リング共振器 / ring resonator
第 1 著者 氏名(和/英) 岡本 健志 / Takeshi OKAMOTO
第 1 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 須藤 信也 / Shinya SUDO
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 鶴岡 清貴 / Kiyotaka TSURUOKA
第 3 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) ニールセン マッス / Mads L. NIELSEN
第 4 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 水谷 健二 / Kenji MIZUTANI
第 5 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 佐藤 健二 / Kenji SATO
第 6 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 工藤 耕治 / Koji KUDO
第 7 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation
発表年月日 2008-08-29
資料番号 EMD2008-46,CPM2008-61,OPE2008-76,LQE2008-45
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 194
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日