講演名 | 2008-08-29 ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般) 岡本 健志, 須藤 信也, 鶴岡 清貴, ニールセン マッス, 水谷 健二, 佐藤 健二, 工藤 耕治, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 高密度波長多重(DWDM)光通信システムにおいて、省エネ・低コストで広波長帯域をカバーできる波長可変レーザが強く求められている。これらの要求を満たす光源として、石英系導波路リングフィルタと半導体光増幅器(SOA)とをハイブリッド集積した広帯域波長可変レーザが報告されている。今回、光源の大幅な小型化を図るため、フィルタ部の半導体化を検討、新たにループ配置半導体リング・MZIフィルタ構造を提案する。そして、全機能領域をモノリシック集積した波長可変レーザにおいて波長可変幅(Δλ=)39nmを得たので報告する。 |
抄録(英) | Widely wavelength-tunable lasers with low power consumption and low cost are indispensable for dense wavelength division multiplexing (DWDM) network systems. External cavity tunable lasers were reported with ring resonators on a silica waveguide-based planar lightwave circuit (PLC) that was hybridly integrated with a semiconductor optical amplifier (SOA) chip. In this paper, we propose a very compact monolithically integrated wideband tunable laser diode with a novel ring/MZI loop-filter structure and show 39-nm tuning range. |
キーワード(和) | 波長可変レーザ / 半導体レーザ / モノリシック集積技術 / リング共振器 |
キーワード(英) | wavelength-tunable laser / semiconductor laser / monolithic integration technology / ring resonator |
資料番号 | EMD2008-46,CPM2008-61,OPE2008-76,LQE2008-45 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
---|---|
開催期間 | 2008/8/21(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A Compact Widely Wavelength-Tunable Laser Diode Monolithically Integrated with a Ring/MZI Loop-Filter |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 波長可変レーザ / wavelength-tunable laser |
キーワード(2)(和/英) | 半導体レーザ / semiconductor laser |
キーワード(3)(和/英) | モノリシック集積技術 / monolithic integration technology |
キーワード(4)(和/英) | リング共振器 / ring resonator |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岡本 健志 / Takeshi OKAMOTO |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 須藤 信也 / Shinya SUDO |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 鶴岡 清貴 / Kiyotaka TSURUOKA |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | ニールセン マッス / Mads L. NIELSEN |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 水谷 健二 / Kenji MIZUTANI |
第 5 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 佐藤 健二 / Kenji SATO |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 工藤 耕治 / Koji KUDO |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 Nanoelectronics Research Labs, NEC Corporation |
発表年月日 | 2008-08-29 |
資料番号 | EMD2008-46,CPM2008-61,OPE2008-76,LQE2008-45 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 194 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |