| 講演名 | 2008-08-28 SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般) 宮城 達郎, 井田 雄介, 鈴木 貴彦, 成田 克, 廣瀬 文彦, |
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| 抄録(和) | 電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。実験では各層のライフタイムを独立制御するためにp型層にSiGe用い、i層では金拡散を行った。ダイオード試作の結果、リカバリ時間50ns、50A/cm^2での順方向電圧降下として1.1Vを得ることが出来た。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | SiGe / pinダイオード / リカバリ時間 / ライフタイム |
| キーワード(英) | SiGe / pin-diode / recovery time / life time |
| 資料番号 | EMD2008-43,CPM2008-58,OPE2008-73,LQE2008-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2008/8/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | pinダイオード / pin-diode |
| キーワード(3)（和/英） | リカバリ時間 / recovery time |
| キーワード(4)（和/英） | ライフタイム / life time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮城 達郎 / Taturou MIYAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 雄介 / Yusuke IDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 貴彦 / Takahiko SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山形大学工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko HIROSE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 発表年月日 | 2008-08-28 |
| 資料番号 | EMD2008-43,CPM2008-58,OPE2008-73,LQE2008-42 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 194 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |