講演名 2008-07-17
4ポート回路Sパラメータの片側2ポート測定法(若手研究者発表会)
松田 昂, 和田 修己, / 久門 尚史,
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抄録(和) 回路特性を調べる手法の1つとしてベクトルネットワークアナライザを用いてSパラメータを測定する手法がある。高密度実装された回路基板においては、等電位とみなせるようなグラウンドを用意することは困難であるため、等電位であるグラウンドを必要としない測定法として4ポート回路に対し有効である片側2ポート測定法を検討した。片側2ポート測定法とは、片側2ポートの終端条件を開放、短絡、整合と変化させ、その度に反対側の2ポートからSパラメータを測定し、得られた測定結果を組み合わせることで、4ポート全体のSパラメータを得るという方法である。この測定法では2通りの計算式が導出されるが,終端条件の影響が見られるように適切に使う式を選ぶことで,終端条件側2ポート間の透過係数以外は精度良く測定出来ることが分かった.
抄録(英) One way of evaluating circuit characteristics is to measure the scattering (S) parameters with a vector network analyzer. Since it is difficult to set an equipotential ground on high-density boards, the authors propose a new procedure for four-port circuit measurement, the one-end two-port measurement technique, which does not require an equipotential ground. In order to use the one-end two-port measurement technique,the termination condition at two ports on one end is changed with open, short, and 50-ohm matching, and two-port S-parameters are measured at two ports on the other end. Four-port S-parameters are calculated from these results. Two pairs of expressions are derived using this method. When expressions are selected to see the effects of termination condition, the S-parameters are correctly obtained, except for the parameters between the far-end ports where the termination condition is changed.
キーワード(和) 測定法 / Sパラメータ / 4ポート回路 / 片側測定 / 終端条件
キーワード(英) measurement technique / s-parameters / four-port circuit / one-end measurement / terminal condition
資料番号 EMCJ2008-31
発行日

研究会情報
研究会 EMCJ
開催期間 2008/7/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromagnetic Compatibility (EMCJ)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 4ポート回路Sパラメータの片側2ポート測定法(若手研究者発表会)
サブタイトル(和)
タイトル(英) One-end Two-port Measurement Technique for Four-port S-parameters
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 測定法 / measurement technique
キーワード(2)(和/英) Sパラメータ / s-parameters
キーワード(3)(和/英) 4ポート回路 / four-port circuit
キーワード(4)(和/英) 片側測定 / one-end measurement
キーワード(5)(和/英) 終端条件 / terminal condition
第 1 著者 氏名(和/英) 松田 昂 / Akira MATSUDA
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Guraduate School of Engineering, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 和田 修己 / Osami WADA
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Guraduate School of Engineering, Kyoto University
第 3 著者 氏名(和/英) / 久門 尚史 / Umberto PAOLETTI
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学大学院工学研究科
Guraduate School of Engineering, Kyoto University
発表年月日 2008-07-17
資料番号 EMCJ2008-31
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 132
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日