講演名 2008-07-25
帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
白田 真樹, 坂本 和良, 篠原 利夫, 伊藤 康之,
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抄録(和) 複数の阻止帯域を有し,かつそれぞれの阻止帯域を独立して変化できる帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器について述べる.差動トランジスタペアのエミッタ間にバラクタダイオードを装荷したLC共振回路をスタック状に接続し,バラクタダイオードに供給する電圧を個別に制御することにより,マルチバンドリジェクション特性を実現した.0.35μm SiGe HBTを用いて0.5~0.8GHz帯および0.6~1.1GHz帯のデュアルバンドリジェクション差動増幅器を設計,試作,評価した結果,0.5~0.8GHz帯で平均13.3dB,0.6~1.1GHz帯で平均14.3dBの帯域阻止特性が得られた.入力反射損失は0.2~1.5GHzで17.5dB以上,出力反射損失は11dB以上であった.またP_<1dB>は+3dBm,IIP_3は0dBm,バイアス条件はV_=6V,I_c=8mAであった.
抄録(英) An L-band SiGe HBT differential amplifier with frequency-tunable and multiple stopbands is presented. To achieve frequency-tunable and multiple bandstop performance, multiple varactor-tuned LC-tank circuits are cascaded in a stacked form between emitters of the differential transistor-pair. The stacked multiple LC-tanks have an outstanding feature in that bandstop frequencies can be varied independently. The implemented 0.35μm SiGe HBT amplifier with dual stopbands demonstrates an averaged bandstop performance of 13.3dB over 0.5 to 0.8GHz and 14.3dB across 0.6 to 1.1GHz. The input and output return losses are better than 17.5dB and 11dB over 0.2 to 1.5GHz, respectively. The measured P_<1dB> is +3dBm and IIP_3 is 0dBm with V_=6V and I_c=8mA.
キーワード(和) 差動増幅器 / マルチバンド / SiGe HBT / マイクロ波 / 共振器 / 帯域阻止
キーワード(英) Differential Amplifier / Multi-band / SiGe HBT / Microwave / Tank Circuit / Bandstop
資料番号 MW2008-73,OPE2008-56
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2008/7/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 帯域可変マルチバンドリジェクション差動増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microwave Differential Amplifiers Having Frequency-Tunable and Multiple Stopbands
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 差動増幅器 / Differential Amplifier
キーワード(2)(和/英) マルチバンド / Multi-band
キーワード(3)(和/英) SiGe HBT / SiGe HBT
キーワード(4)(和/英) マイクロ波 / Microwave
キーワード(5)(和/英) 共振器 / Tank Circuit
キーワード(6)(和/英) 帯域阻止 / Bandstop
第 1 著者 氏名(和/英) 白田 真樹 / Masaki SHIRATA
第 1 著者 所属(和/英) 湘南工科大学電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shonan Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 坂本 和良 / Kazuyoshi SAKAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 湘南工科大学電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shonan Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 篠原 利夫 / Toshio SHINOHARA
第 3 著者 所属(和/英) 湘南工科大学電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shonan Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 伊藤 康之 / Yasushi ITOH
第 4 著者 所属(和/英) 湘南工科大学電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shonan Institute of Technology
発表年月日 2008-07-25
資料番号 MW2008-73,OPE2008-56
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 155
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日