| 講演名 | 2008-07-11 Electrical Properties of Highly Crystallized Ge : H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H_2-diluted GeH_4(Session9A: Silicon Devices IV) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Formation of highly crystallized Ge films on quartz substrate from VHF-ICP of GeH_4 and electrical properties of the films have been investigated. From the Hall measurements, we found that the films show p-type conduction and that carrier concentrations for the films of 92 and 98% in the crystallinity are 2.9×10^<19> and 5.7×10^<18>cm^<-3>, respectively. In addition, we observed a carrier mobility of 22cm^2/Vs for the film with 98% crystallinity, which is ～2 times higher compared to 12cm^2/Vs of 92% case. This result suggests that defects in the films play a role on carrier type and transport properties. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ge / VHF / carrier concentration / defect |
| 資料番号 | ED2008-90,SDM2008-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Highly Crystallized Ge : H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H_2-diluted GeH_4(Session9A: Silicon Devices IV) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ge |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hirotaka Kaku |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2008-07-11 |
| 資料番号 | ED2008-90,SDM2008-109 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |