| 講演名 | 2008-07-11 The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface(Session9A: Silicon Devices IV) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Atomically flat (100) silicon surface constructed with atomic terraces and steps is realized by argon annealing at 1200℃ on (100) crystal orientation large diameter wafers with precisely controlled tilt angle. An atomic terraces and steps of (100) silicon surface can be measured as an image data by the atomic force microscopy (AFM). In order to discuss the flatness and the uniformity of the atomically flat silicon surface, it is important to evaluate the roughness of each terrace. In this paper, the data analysis technique of the atomic terraces and steps of (100) silicon surface will be proposed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | atomically flat (100) silicon wafer / off direction angle / off angle / AFM |
| 資料番号 | ED2008-89,SDM2008-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The data analysis technique of the atomic force microscopy for the atomically flat silicon surface(Session9A: Silicon Devices IV) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / atomically flat (100) silicon wafer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Masahiro Konda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NICHe, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-07-11 |
| 資料番号 | ED2008-89,SDM2008-108 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |