| 講演名 | 2008-07-11 Implementation of Channel Thermal Noise Model in CMOS RFIC Design(Session8A: Si Devices III) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, a simple channel thermal noise model for short-channel MOSFET is applied to the RF circuit design. In order to simulate MOSFET's noise performance in circuit simulators, a proper methodology is presented. The proposed noise model is verified by comparing simulated results to measured data at device and circuit level. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | RF MOSFET / Channel thermal noise / Low-noise amplifier |
| 資料番号 | ED2008-84,SDM2008-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Implementation of Channel Thermal Noise Model in CMOS RFIC Design(Session8A: Si Devices III) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / RF MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jongwook Jeon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University:School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2008-07-11 |
| 資料番号 | ED2008-84,SDM2008-103 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |