講演名 2008-07-11
Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations(Session8A: Si Devices III)
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抄録(和)
抄録(英) We propose Current Controlled MOS Current Mode Logic (CC-MCML) and have succeeded in fabricating CC-MCML with 180nm CMOS technology for the first time. The performance stability of the CC-MCML inverter on the fluctuations of threshold voltage of NMOS and PMOS is evaluated from the viewpoint of diminishing the bias offset voltage ΔV_B. The ΔV_B, that is defined as (base voltage of output waveform)-(base voltage of input waveform), is a key design parameter because CC-MCML is one type of differential circuit. It is shown that when the threshold voltage of NMOS fluctuates from -70mV to 50mV, and threshold voltage of PMOS fluctuates from -60mV to 60mV, the CC-MCML technique is able to suppress ΔV_B within only 45mV where as the conventional MCML technique caused a maximum ΔV_B of 395mV. In this paper, it is verified for the first time that the proposed CC-MCML is more tolerant against the fluctuations of threshold voltages than the conventional MCML.
キーワード(和)
キーワード(英) Current Controlled-MCML / MCML / Vth Fluctuation / Stability / NMOS / PMOS
資料番号 ED2008-83,SDM2008-102
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2008/7/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Impact of 180nm Current Controlled MCML for Realizing Stable Circuit Operations under Threshold Voltage Fluctuations(Session8A: Si Devices III)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Current Controlled-MCML
第 1 著者 氏名(和/英) / Masashi KAMIYANAGI
第 1 著者 所属(和/英)
Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University
発表年月日 2008-07-11
資料番号 ED2008-83,SDM2008-102
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 121
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日