| 講演名 | 2008-07-10 3-dimensional Terraced NAND (3D TNAND) Flash Memory(Session4A: Nonvolatile Memory) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We propose a 3-dimensional terraced NAND flash memory. It has a vertical channel so it is possible to make a long enough channel in 1F^2 size. And it has 3-dimensional structure whose channel is connected vertically along with two stairs. So we can obtain high density as in the stacked array structure, without silicon stacking process. We can make NAND flash memory with 3F^2 cell size. Using SILVACO ATLAS simulation, we study terraced NAND flash memory characteristics such as program, erase, and read. Also, its fabrication method is proposed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | NAND / flash memory / stacked NAND / vertical channel |
| 資料番号 | ED2008-56,SDM2008-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3-dimensional Terraced NAND (3D TNAND) Flash Memory(Session4A: Nonvolatile Memory) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / NAND |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yoon Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University:School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2008-07-10 |
| 資料番号 | ED2008-56,SDM2008-75 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |