| 講演名 | 2008-07-10 Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories(Session4A: Nonvolatile Memory) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO_2 from ultrathin Pd films being exposed to remote hydrogen plasma at room temperature, in which parameters such as the gas pressure and input power to generate H_2 plasma and the Pd film thickness were selected to get some insights into surface migration of Pd atoms induced with atomic hydrogen irradiation and resultant agglomeration with cohesive action. The areal dot density was controlled in the range from ～3.4 to ～6.5×10^<11>cm^<-2> while the dot size distribution was changed from ～7 to ～1.5 in average dot height with ～40% variation in full-width at half maximum. We also fabricated MOS capacitors with a Pd-nanodots floating gate and confirmed the flat-band voltage shift in capacitance-voltage characteristic due to electron injection to and emission from the dots floating gate. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Pd Nanodot / Remote Hydrogen Plasma / Floating Gate MOS memory |
| 資料番号 | ED2008-54,SDM2008-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories(Session4A: Nonvolatile Memory) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Pd Nanodot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kazuhiro Shimanoe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2008-07-10 |
| 資料番号 | ED2008-54,SDM2008-73 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |