講演名 | 2008-07-09 Characterization of Carbon Nanotube FETs by Electrostatic Force Microscopy(Session3: Emerging Devices I) , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | The surface potential of the carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) was evaluated by electrostatic force measurement. A clear potential image of the CNT channel with a diameter of 1.1nm was obtained. The measured potential image was dependent on the sequence of the gate bias, and showed transient behavior with a time constant of several 10 minutes. These behaviors were consistent with the drain current transient and the hysteresis of the current-voltage characteristic of the CNT-FETs. Nonuniform potential profile was obtained when the CNT-FET was in the OFF state in contrast with the uniform potential profile for the device biased in the OFF state, suggesting the existence of the defect in the CNT channel. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | nanotube / CNT / potential profile / electrostatic force / KFM / EFM |
資料番号 | ED2008-49,SDM2008-68 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characterization of Carbon Nanotube FETs by Electrostatic Force Microscopy(Session3: Emerging Devices I) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / nanotube |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Takashi MIZUTANI |
第 1 著者 所属(和/英) | Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
発表年月日 | 2008-07-09 |
資料番号 | ED2008-49,SDM2008-68 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 121 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |