| 講演名 | 2008-07-09 A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation(Session2: Silicon Devices I) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | For the next generation LSI package, low power consumption and high frequency propagation must be satisfied. In order to meet such requirements, we investigated a dielectric material for semiconductor package which has three superior features: low dielectric constant, low dielectric loss, and a flat surface. The propagation loss of a microstrip line on the developed material is about 40% of the conventional material at 30GHz. The significant reduction of the propagation loss is caused by the flat surface and low dielectric loss. This technology greatly contributes to the next generation of semiconductor packages. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | semiconductor package / low dielectric constant / low dielectric loss |
| 資料番号 | ED2008-48,SDM2008-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation(Session2: Silicon Devices I) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / semiconductor package |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hiroshi Imai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-48,SDM2008-67 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |