| 講演名 | 2008-07-09 Quantum Modeling of Carrier Transport through Silicon Nano-devices(Session2: Silicon Devices I) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Drain-current-gate-voltage characteristics of nano-scale silicon MOSFETs have been calculated within non-equilibrium Green's function formalism to study crystalline orientation effects on ballistic hole current in ultrathin-body double-gate MOSFETs. A <110>-channel device on (110)-substrate is found to carry the highest current density. Device-characteristics difference between double-gate and gate-all-around MOSFETs is also discussed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MOSFET / quantum transport / ballistic / non-equilibrium Green's function / tight-binding method |
| 資料番号 | ED2008-45,SDM2008-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Modeling of Carrier Transport through Silicon Nano-devices(Session2: Silicon Devices I) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Nobuya MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-45,SDM2008-64 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |